7月9日凌晨，国内DRAM（动态随机存取存储器，Dynamic Random Access Memory，DRAM）龙头企业长鑫科技集团股份有限公司（以下简称“长鑫科技”）公布科创板IPO（首次公开发行）招股意向书，预计发行日期为7月16日。
据公告，长鑫科技拟初始公开发行股票66.88亿股，发行股份占公司发行后总股本的比例约为10%（超额配售选择权行使前）；发行后总股本为668.81亿股（超额配售选择权行使前）。发行初始战略配售发行数量为33.44亿股，占初始发行数量的50%。此外，发行人授予联席保荐人（联席主承销商）中金公司不超过初始发行股份数量15%的超额配售选择权，若全额行使，发行总股数将扩大至76.91亿股。
本次发行采用向参与战略配售的投资者定向配售、网下向符合条件的投资者询价配售与网上向持有上海市场非限售A股股份和非限售存托凭证市值的社会公众投资者定价发行相结合的方式进行。定价方式为网下初步询价确定发行价格，网下不再进行累计投标询价。其中，初始战略配售数量为33.44亿股，占拟发行数量的50.00%；网下初始发行数量为26.75亿股；网上初始发行数量为6.688亿股。
根据发行时间安排，初步询价日为2026年7月13日（T-3日）。发行公告将于2026年7月15日（T-1日）刊登。网下申购日和网上申购日均为2026年7月16日（T日），网上申购时间为9:30-11:30及13:00-15:00。网下缴款及网上缴款截止日均为2026年7月20日（T+2日）。
公司证券简称为“长鑫科技”，证券代码/网下申购代码为“688825”，网上申购代码为“787825”。
根据公司此前披露的业绩预告，2026年上半年预计实现营业收入1100亿元至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；归母净利润预计500亿元至570亿元，同比增长2244.03%至2544.19%；扣非归母净利润预计520亿元至580亿元。
公司表示，业绩大幅增长主要受益于全球算力需求持续增长、DRAM产品供不应求、价格持续上涨。
在融资规模上，长鑫科技此次科创板上市拟募资295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目建设，合计总投资规模达345亿元。
对于估值，市场人士普遍认为长鑫科技将达到万亿级别，有望达到3万亿元。Wind显示，目前A股总市值最高的为建设银行（601939）的2.63万亿元。
长鑫科技是国内存储芯片大厂，公司主营业务高度集中于DRAM产品。长鑫科技已实现DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X全系列DRAM产品量产，核心产品技术达国际先进水平，覆盖服务器、移动设备、智能汽车等主流市场。
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